CMTD晶体(001)面的表面形貌观测及其结晶形态研究
作者：admin | 日期：2025-07-12
CMTD晶体(001)面的表面形貌观测及其结晶形态研究
用倒置相差显微镜观察了CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)晶体结晶过程的形态变化.同时用原子力显微镜(AFM)对CMTD的(001)面进行形貌观察,测得的初级台阶高度为1.411nm,是晶胞参数c的一半,发现了螺旋生长丘及缺陷,并对生长丘的中心孔芯作了初步分析,讨论了CMTD晶体所特有的"树杈状"和"一字形"缺陷及形成机理.
作 者： 王坤鹏 孙大亮 郭世义 苏静 作者单位： 王坤鹏,孙大亮,郭世义(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)苏静(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;中科院安徽光学精密机械研究所,安徽,合肥,230031)
刊 名： 功能材料 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年，卷(期)： 2003 34(2) 分类号： O793 O781 关键词： CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD) 生长机理 缺陷